Устройство и принцип на действие на триелектроден тиристор.

P-n преходът е характерен за полупроводниковите елементи. Той се получава когато с подходящи примеси в полупроводниковият кристал се съединят две области – една от p и друга от n тип. P-n преходът представлява граничната зона между тези две съседни области в полупроводниковият кристал, които имат противоположна примесна проводимост. Двете области са електрически неутрални, защото притежават равен брой положителни и отрицателни заряди. Под влияние на дифузията, която е резултат от различната концентрация на зарядите в двете области, в граничната област свободните електрони от n-областта преминават в p-областта. В p-областта тези преминали електрони рекомбинират с дупките в тази област и превръщат атомите в отрицателни йони. Атомите в n-областта от своя страна са положителни йони. Така на граничната зона се натрупват заряди: от p-областта заряда е отрицателен, а от n-областта- положителен. В резултат възниква спиращо електрично поле, което не позволява свободните заряди да продължат да преминават между областите. Пробивът в p-n прехода се характеризира с рязко нарaстване на неосновните токоносители в прехода. Пробивите биват топлинен, лавинен и тунелен (наречен още ценеров). За да