Тетрадка.бгТехнологичен анализ на интегрална схема с MOS структура.

Всичко, което липсва във вашата тертадка, ще намерите в нашата Тетрадка.бг

Поръчай тема Услуги Абонаменти

Опсс.. няма качен документ за преглед :(

Изтегли сега

Изтегли сега с абонамент (10 кредита)

Купи веднага

Купи веднага 45 лв (еквивалент на 15 кредита)

psl

Технологичен анализ на интегрална схема с MOS структура.

В съвременните системи М-Д-П преобладават МОS транзисторите и от там се е наложило популярното название MOS-интегрални схеми. Интегралните МОS транзистори се разделят според проводимостта на канала (p или n) и начина на създаването му (индуциран или вграден). Технологичната последователност за направата на р-канален MOS транзистор с индуциран канал е следната : Изходната подложка е от високоомен p-Si (ρ=5÷10 Ω.см). След създаването на дебел термичен окисен слой (≈1 µm) се създават дифузните p+ области за сорс и дрейн. След това се правят отвори за гейт и създаването на тънък окисен слой (≈0.1 µm) в гейтовата област чрез висококачествено термично окисляване. Следващите операции и фотошаблони са същите, както в биполярната технология-направа на отвори в дебелия окисен слой за контакти с повърхността на дифузните области за сорс и дрейн, метализиране на гейтовете на транзисторите, изводи шини и контактни площадки.

Референтен номер: 2464

Предназначен за: Студенти

Тип: Курсови работи

Категория: Технически и инженерни специалности

Предмет: Електроника

Брой страници: 12

Качен на: 23/06/2011

Институция: Технически университет

Град: София